웨이퍼 실시간 측정진단 기술개발은 다양한 학문적 기초 및 극한기술에 기반을 두고 있으며, 특히 고난도의 진공기술, 불순물 측정진단, 극청정 환경 유지, process control, 맵핑 등 융합적인 기술의 집약화 및 고도화된 첨단 복합기술을 요구하고 있습니다.
· Sample Description : ≤ Ø300 mm wafer
· Mass Range : (1 ~ 512) amu
· Full Heating : up to 950 ℃
· Local Heating : up to 1,400 ℃
· Base Pressure : *process chamber, 5 × 10-7 mbar / *measurement chamber, < 5 × 10-9 mbar
· DAQ System : automated fully, wafer loading to measurement through data analysis
KR
