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fTDS(Thermal Desorption Spectroscopy for Semiconductor Wafer)

웨이퍼 실시간 측정진단 기술개발은 다양한 학문적 기초 및 극한기술에 기반을 두고 있으며,
특히 고난도의 진공기술, 불순물 측정진단, 극청정 환경 유지, process control, 맵핑 등 융합적인 기술의
집약화 및 고도화된 첨단 복합기술을 요구하고 있습니다.

  • ▶ Specification

  • · Sample Description: ≤ Ø300 mm wafer
  • · Mass Range: (1 ~ 512) amu
  • · Full Heating: up to 950 ℃
  • · Local Heating: up to 1,400 ℃
  • · Base Pressure:
    * process chamber, 5 × 10-7 mbar
    * measurement chamber, < 5 × 10-9 mbar
  • · DAQ System: automated fully, wafer loading to measurement through data analysis
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