fTDS(Thermal Desorption Spectroscopy for Semiconductor Wafer)
웨이퍼 실시간 측정진단 기술개발은 다양한 학문적 기초 및 극한기술에 기반을 두고 있으며,
특히 고난도의 진공기술, 불순물 측정진단, 극청정 환경 유지, process control, 맵핑 등 융합적인 기술의
집약화 및 고도화된 첨단 복합기술을 요구하고 있습니다.
▶ Specification
- · Sample Description: ≤ Ø300 mm wafer
- · Mass Range: (1 ~ 512) amu
- · Full Heating: up to 950 ℃
- · Local Heating: up to 1,400 ℃
- · Base Pressure:
* process chamber, 5 × 10-7 mbar
* measurement chamber, < 5 × 10-9 mbar
- · DAQ System: automated fully, wafer loading to
measurement through data analysis
